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采用MEMS工藝技術的超結構造MOSFET
Technology主要負責設計和開發(fā)，歐姆龍負責生產。首批量產的是兩種產品。分別是耐壓為650V、漏電流為20A、導通電阻為170mΩ的產品和耐壓為600V、漏電流為20A、導通電阻為160mΩ的產品。
2020-06-15 13:52:20
Technology主要負責設計和開發(fā)，歐姆龍負責生產。首批量產的是兩種產品。分別是耐壓為650V、漏電流為20A、導通電阻為170mΩ的產品和耐壓為600V、漏電流為20A、導通電阻為160mΩ的產品。作為耐壓600V級的產品，導通電阻較低。
此次的超結構造中n型層和p型層交錯排列。為實現這種構造，采用了歐姆龍的MEMS工藝技術。首先使n型層外延生長，然后利用MEMS工藝技術的蝕刻工藝鑿刻溝槽。接著在溝槽的側面注入和擴散離子，制造p型層。然后在溝槽內嵌入絕緣子，制造電極等，完成整個制造流程。該電極的制造工藝采用了CMOS工藝（圖2）。目前MOSFET的單元間距約為12μ～15μm。溝槽寬3μm，深約40μ～45μm。
生產基地為歐姆龍的野州事務所。已經開始使用200mm晶元制造IceMos Technology設計的MOSFET（圖3）。雙方計劃今后進一步擴充產品陣容。例如，預定2011年第3季度開始量產耐壓600V、漏電流為15A和10A的兩種產品。
此次的超結構造中n型層和p型層交錯排列。為實現這種構造，采用了歐姆龍的MEMS工藝技術。首先使n型層外延生長，然后利用MEMS工藝技術的蝕刻工藝鑿刻溝槽。接著在溝槽的側面注入和擴散離子，制造p型層。然后在溝槽內嵌入絕緣子，制造電極等，完成整個制造流程。該電極的制造工藝采用了CMOS工藝（圖2）。目前MOSFET的單元間距約為12μ～15μm。溝槽寬3μm，深約40μ～45μm。
生產基地為歐姆龍的野州事務所。已經開始使用200mm晶元制造IceMos Technology設計的MOSFET（圖3）。雙方計劃今后進一步擴充產品陣容。例如，預定2011年第3季度開始量產耐壓600V、漏電流為15A和10A的兩種產品。
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